温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，其中方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层覆盖衬底的表面，在第一介质层和第二介质层中形成开口结构。在开口结构中形成导电材料层，导电材料层填充...
该专利属于极芯拓方技术（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过极芯拓方技术（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。