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本发明提供一种用于生长块状SiC单晶的籽晶单元(1)，籽晶单元(1)具有晶圆状的SiC单晶籽晶(2)，SiC籽晶(2)具有布置在晶圆正面(4)上的生长表面(4a)，用于生长待生长的块状SiC单晶。SiC籽晶(2)具有沿轴向延伸的晶体纵向中轴...
该专利属于硅晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅晶体有限公司授权不得商用。

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