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本技术提供一种发光器件及产品，发光器件包括衬底和两个以上的发光单元，发光单元包括发光模组和透光围墙，发光模组包括依次分布的n型GaN、多层量子阱和p型GaN，透光围墙贴合围设设在发光模组的外周上，其中，发光单元还包括有挡墙，挡墙贴合围设在透...
该专利属于星钥半导体（武汉）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过星钥半导体（武汉）有限公司授权不得商用。

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