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本发明涉及一种低温高效制备SiC晶须的方法，属于材料制备技术领域。该方法通过选用多晶硅废料作为硅源，经过有机酸包覆活化处理，并选用可再生、来源广泛的生物质材料为碳源，结合微量硝酸盐助催化与反应气氛调控，在较低温度1100~1300℃下实现尺...
该专利属于郑州大学所有，仅供学习研究参考，未经过郑州大学授权不得商用。

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