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本申请提供一种半导体器件及其制造方法，其中制造方法包括：首先在金属互连层上依次形成富氮的第一阻挡层和第二阻挡层，接着在第二阻挡层上形成低K介电层，接着形成相连通的沟槽和通孔，随后在沟槽的侧壁、底壁以及通孔的侧壁上形成扩散抑制层，接着在通孔和...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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