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一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：各栅沟道结构包括栅极、位于栅极内相互分立的若干第一沟道层和若干第二沟道层，若干第二沟道层位于若干第一沟道层上，若干第一沟道层平行于第一方向，且在第一方向上贯穿栅极，栅极暴露出各第一沟道层相对的两个第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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