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为了抑制非晶硅在后续工艺的热制程中发生重结晶，本发明提供了一种非晶硅薄膜、非晶硅栅极结构及制造方法；该非晶硅薄膜的制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上沉积形成非晶硅薄膜；在沉积过程中，使用的工艺气体中29Si原子的丰度大于其天然丰度，使用...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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