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本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法。该方法通过将传统细长型倒装LED芯片设计优化为宽短型结构，并采用细长条形的P/N电极焊盘布局，控制两电极焊盘间距为50–250微米。具体工艺包括在图形化衬底上生长LED外延结构，形成MESA确定芯...
该专利属于聚灿光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技股份有限公司授权不得商用。

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