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本申请公开了一种半导体器件及使用方法，半导体器件包括基片、存储功能区以及控制功能区，基片包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层以及势垒层；存储功能区设置于势垒层背离衬底的一侧，存储功能区包括沿第一方向间隔设置的源极、栅控电极以及漏极，栅控电...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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