温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种基于二维材料的非对称肖特基势垒调制的忆阻晶体管及其制备方法。该结构的忆阻晶体管自上而下的依次为栅电极，栅氧化层，源电极与漏电极，二维半导体层，衬底层；通过匹配源电极和漏电极的金属种类，在忆阻器晶体管两端形成了非对称的肖特基势垒接触。通过...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。