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本发明公开了一种中频熔融协同等离子气化制纳米硅的装置及方法，属于纳米粉体生产领域，该装置包括中频熔融系统、等离子气化系统和纳米硅收集系统，通过中频熔融炉在真空环境下加热硅料至1700℃以上，结合底吹气体(甲烷/氢气)脱除硫、氧杂质，并经脱酸...
该专利属于成都启川新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都启川新能源科技有限公司授权不得商用。

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