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本发明公开了一种沉积硅、锗、或硅锗形成的上指ＰＩＮ二极管。该二极管具有底层重掺杂Ｐ型区、中间本征或轻掺杂区和上层重掺杂Ｎ型区。上层重掺杂Ｐ型区掺杂砷，并且二极管的半导体材料在接触合适的硅化物、锗化物或硅锗化物时被结晶。可以形成大阵列的此上指...
该专利属于桑迪士克３Ｄ公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克３Ｄ公司授权不得商用。

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