温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种硫系相变存储材料势模型的构建方法、材料特性计算方法及电子设备，属于半导体材料领域；在通过基于第一性原理计算方法的分子动力学模拟所收集的第一训练集所训练的势模型的基础上，充分利用当前势模型，基于当前势模型进行分子动力学模拟进一...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。