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用于集成电路的互连结构，其包括有助于铜线的成核、生长和附着的氮化钴层。可将氮化钴沉积在难熔金属氮化物或碳化物例如氮化钨或氮化钽的层上，所述层充当铜的扩散阻挡层并且还提高氮化钴和下方的绝缘体之间的附着。可以由新型脒基钴前体通过化学气相沉积形成...
该专利属于哈佛学院院长等所有，仅供学习研究参考，未经过哈佛学院院长等授权不得商用。

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