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一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及制备方法，属于薄膜传感器设计与生产技术领域。绝缘层包括自下而上依次设置的Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;缓冲层、AlN过渡层、Al&...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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