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本发明属于甚长波红外探测技术领域，具体涉及一种光子驻留模式增强宽谱吸收的全硅微孔结构及制备方法。本发明的全硅微孔结构从下而上依次为高纯硅衬底，重掺杂硅等离子体层，轻掺杂硅活性吸收层及本征纯硅阻挡层，还包括具有抛物线形状侧壁的周期性微孔阵列结...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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