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本发明公开了一种氮极型铁电氮化物多值存储电容，主要解决现有铁电存储电容可靠性差、存储效率低、存储密度低以及难以兼容CMOS工艺的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、接触层。接触层上方的中间部分设有铁电材料层，该材料层的半侧刻蚀为台面，以实现不...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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