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本发明公开了一种石墨烯多插层碳化硅光导微波器件及其制备方法，解决了传统光导开关表面闪络击穿、衬底电流密度过大及寿命不足的技术问题。本发明衬底采用多层碳化硅和石墨烯交替堆叠设计，衬底内每两个碳化硅半绝缘材料层与石墨烯插层构成硅墨层，多个硅墨层...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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