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本发明提供了一种多芯片堆叠式双面散热碳化硅功率模块，涉及芯片封装技术领域，该功率模块包括依次设置有上铜图形层、氮化铝陶瓷层和下导电铜层的第一DBC基板和第二DBC基板、负直流端子、交流端子、正直流端子；其中第一DBC基板和第二DBC基板的上...
该专利属于华侨大学所有，仅供学习研究参考，未经过华侨大学授权不得商用。

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