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本发明公开本发明涉及一种三维纳米墙阵列负极薄膜样品及其制备方法。所述样品，表面光滑平整、微观结构为三维纳米墙阵列，薄膜厚度约0.3cm。其制备方法，包含以下步骤：(1)Ti片的预处理(2)第一步水热反应(3)离子交换(4)第二次水热及后续热...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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