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半导体用石墨块及其纯化方法、电子器件技术
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文档序号:45748101
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本发明提供一种半导体用石墨块及其纯化方法、电子器件,纯化方法包括:将等静压处理的石墨块以0.5‑1mm/min的速度浸入硝酸和硫酸按3:1比例配制的复合酸溶液中进行梯度升温化学处理;将处理后的石墨块置于高真空环境中进行三段式精确控温加热和程...
该专利属于江西欣荣锂电材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江西欣荣锂电材料有限公司授权不得商用。
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