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发明涉及碳化硅粉料制造技术领域，尤其涉及一种P型碳化硅粉料的合成方法，所述方法包括以下步骤：(S.1)将硅源与碳源交替分层装填，各硅层表面均匀负载铝基掺杂剂；(S.2)在第一反应温度区间下以及真空环境中进行第一次碳化反应，生成初级碳化硅；(...
该专利属于浙江晶越半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶越半导体有限公司授权不得商用。

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