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本申请涉及用于二值神经网络的电荷域DRAM内计算。用于计算动态随机存取存储器DRAM内计算的方法和系统包含：向所述DRAM的单元的第一组加载输入参数；及向所述DRAM的单元的第二组加载各自与对应输入参数互补的反转输入参数。向所述DRAM的单...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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