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本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种含硅负极结构，包括含硅负极、采用ALD沉积在所述含硅负极表面的第一人工SEI层、采用MLD沉积在所述第一人工SEI层表面的第二人工SEI层和采用ALD沉积在所述第二人工SEI层的第三人工SEI层。相对于现...
该专利属于深圳市原速光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市原速光电科技有限公司授权不得商用。

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