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本发明公开一种通过优化晶圆边缘电压改善套刻精度的方法，属于半导体制造技术领域，所述通过优化晶圆边缘电压改善套刻精度的方法包括在进行光刻工艺前，使用快速热处理设备对晶圆进行热处理；快速热处理设备中具有用于加热晶圆的加热装置，晶圆在快速热处理设...
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