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本发明提供了一种P型‑Si和N型‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;异质结二极管，包括由下到上设置的阴极欧姆电极、衬底和漂移层以及位于漂移层上方的P区、位于P区两侧的氧化物介质层和...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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