下载含硫化合物及其制备方法和用途作为电子传输层材料的用途的技术资料

文档序号:45535408

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本发明公开了一种具有式I所示结构的亚硫酸根阴离子含硫结构作为反离子的化合物PDIN‑SO及其制备方法和用途。根据本发明的所述含硫结构的离子化合物或者配位化合物的合成采用本体反应和溶液中的反应。以甲醇溶液或者液体本体的状态充当反应试剂和溶剂。...
该专利属于西湖大学光电研究院所有,仅供学习研究参考,未经过西湖大学光电研究院授权不得商用。

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