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本技术公开一种非制冷高性能红外探测器。由窄带隙半导体pn结红外传感单元和场致发射真空间隙构成，在pn结的左端设置左端金属电极，在pn结的右端设置一个厚度很薄的真空间隙，在真空间隙的右端设置右端金属电极；在pn结的右端面设置纳米结构；在左端电...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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