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本发明公开了一种用于GaN基LED的二次成核GaN模板的制备方法，步骤为：首先在蓝宝石衬底上生长GaN种子层，然后通过磁控溅射在GaN种子层上沉积SiO<subgt;2</subgt;薄膜，再通过刻蚀使SiO<subgt;...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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