温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种基于频域热耦合模型的多芯片并联IGBT模块温度预测方法，包括：根据平均损耗确定芯片的分组，建立多芯片并联IGBT模块的热耦合模型；提取所述热耦合模型参数；将各IGBT芯片的功率损耗P<subgt;T1</subgt...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。