温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种3D超结高耐压高散热的HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件领域。该HEMT器件包括由下至上依次层叠的衬底、电子沟道层、势垒层、空穴沟道层和p型半导体层。p型半导体层的上表面上设置有第一电极。p型半导体层和空穴沟道层中设置有...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。