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本发明公开了一种梯度掺杂的Nd:LuAG激光晶体的制备方法，在单晶生长过程中，通过水平全熔的方式，获取溶质保守系统，相较于传统区熔方式，溶质在晶体中的分布更不均匀，能够获取更大的掺杂梯度，从而实现分凝系数k0<1的Nd3+(k0=0....
该专利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十六研究所授权不得商用。

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