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本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件的制备方法，包括：在衬底上生长成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和阻挡层；刻蚀掉中间位置的阻挡层及部分势垒层；在刻蚀区和阻挡层上表面外延生长盖帽层；将盖帽层减薄至阻挡层；去除阻挡层，露出势垒层；在势垒层...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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