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一种MEMS器件架构及制备方法技术
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文档序号:45058467
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本发明公开了一种MEMS器件架构,包括盖帽层、器件层和衬底层,盖帽层和器件层键合,键合完成后的整体和衬底层键合,盖帽层基于第一硅基板制造而成,盖帽层底部设置有空腔结构,盖帽层内设置有高深槽结构,高深槽结构的槽壁设置有二氧化硅薄膜,高深槽结构...
该专利属于无锡北微传感科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡北微传感科技有限公司授权不得商用。
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