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本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法。该两端式全硅基双结太阳能电池包括：N型硅基底，依次设于N型硅基底正面的金字塔绒面、钝化减反膜，设于N型硅基底背面的正极区和负极区；正极区包括依次设于N型硅基底背面的内...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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