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本发明提供了一种基于MOSFET器件的单分子基因测序方法，属于单分子基因测序技术领域，该MOSFET器件栅极和源漏极区域先后镀膜铬和金表面，栅极上涂覆PMMA涂层后，通过高精度电子束曝光，显影出一个仅可容纳单个聚合酶的孔洞，PDMS微流道贴...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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