温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种AlScN薄膜衬底及其制备方法及应用。制备方法包括:在衬底表面生长Al薄膜层后,进行第一次热处理;然后,在Al薄膜层表面依次生长第一AlN层、第二AlN层和AlN岛结构层后,进行第二次热处理,AlN岛结构层的厚度为hx,5n...该专利属于北京中博芯半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京中博芯半导体科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种AlScN薄膜衬底及其制备方法及应用。制备方法包括:在衬底表面生长Al薄膜层后,进行第一次热处理;然后,在Al薄膜层表面依次生长第一AlN层、第二AlN层和AlN岛结构层后,进行第二次热处理,AlN岛结构层的厚度为hx,5n...