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本发明公开了一种基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法，属于晶体管的构筑工艺技术领域。所述基于易挥发性牺牲层辅助介电层制备的方法包括以下步骤：在衬底上沉积易挥发性材料，得到易挥发性牺牲层；在所述易挥发性牺牲层表面沉积介电层材料，然后进行后处...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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