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本发明提供了一种无色半绝缘型碳化硅晶体及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳粉、硅粉和硼粉混合经真空热处理，得到掺杂剂前驱体；(2)对掺杂剂前驱体进行烧结处理，得到掺杂剂，检测硼元素的含量；(3)取待处理碳化硅测试其硼、氮...
该专利属于江苏超芯星半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏超芯星半导体有限公司授权不得商用。

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