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本发明公开了一种基于p‑BN的氮化镓基互补逻辑器件及其制备方法，包括：未掺杂GaN层中的条状凹槽将未掺杂GaN层划分为第一区域和第二区域；依次层叠设置在未掺杂GaN层的第一区域的上表面的第一极化层、第一势垒层和第一p‑BN层，第一p‑BN层...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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