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本发明提供SOI晶圆及其制造方法，通过执行热氧化工艺，在支撑衬底的正面和/或器件衬底的正面上形成埋氧层，且在支撑衬底的背面形成第一厚度的氧化层，在键合工艺之后，执行加固热处理工艺，以固化SOI晶圆，接着执行机械研磨工艺，以减薄SOI晶圆的厚...
该专利属于上海新傲芯翼科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲芯翼科技有限公司授权不得商用。

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