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本发明公开了一种选择性激活p‑GaN栅HEMT器件制造方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括S1、选取外延片，所述外延片包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层，所述沟道层与势垒层的异质结界面形成二维电子气，作为导电沟道；S2、在所述外延片上...
该专利属于西安电子科技大学广州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学广州研究院授权不得商用。

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