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本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种HBC太阳能电池结构及其无非晶损伤制备方法，包括如下步骤：步骤S1，对硅片进行双面抛光；步骤S2，对硅片的背面由上至下沉积一层i：a‑Si层、P：a‑Si层、高功函数TCO层和i：a‑Si掩膜...
该专利属于常州比太科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州比太科技有限公司授权不得商用。

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