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本发明涉及蚀刻技术领域，具体而言，涉及铜蚀刻液及其制备方法和蚀刻方法，该铜蚀刻液的原料包括：过氧化氢、金属抑制剂、丙二酸、无机盐、螯合剂、氟化物、稳定剂、十二烷基苯磺酸钠；余量为水；铜蚀刻液的pH为：1.5<pH≤2。本发明采用低双氧...
该专利属于上海盛剑微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海盛剑微电子有限公司授权不得商用。

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