温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种沟槽超结MOSFET的终端结构，提供一半导体衬底，所述的半导体衬底上包含外延层；在所述的外延层中，包含有所述的沟槽超结MOSFET的原胞结构以及终端结构；所述终端结构位于所述的原胞结构的外围，对所述的原胞结构进行隔离保护；所...
该专利属于上海澜芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海澜芯半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。