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本发明公开一种氧化镓基功率器件及其制备方法，涉及半导体器件领域，器件包括从下至上依次层叠设置的阴极层、n型氧化镓衬底和n型氧化镓外延层；还包括：依次间隔设置在n型氧化镓外延层上并分别与其形成PN结的p型半导体层、第一场限环和第二场限环；位于...
该专利属于杭州富加镓业科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富加镓业科技有限公司授权不得商用。

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