温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种硅电容器的制备方法及硅电容器，涉及电容器技术领域，包括：在衬底片上刻蚀出若干沟槽区；在包含沟槽区的衬底片上由下至上堆叠形成多层电容单元，每个电容单元包括呈十字型由内到外交替堆叠的多层导电层和介质层；于最上层的电容单元的顶部形成...
该专利属于上海维安半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海维安半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。