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本发明公开了一种图形化衬底的表面选择性生长硫化铅薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)将图形化衬底置于氧化剂溶液中进行表面改性；2)在图形化衬底的表面旋涂光刻胶，无掩模曝光和去胶，循环多次；3)将表面预处理的图形化衬底放入生长硫化铅薄膜的前驱体...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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