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本发明涉及单壁碳纳米管的直径、导电属性控制生长领域，具体为一种晶面台阶高度限域生长亚纳米直径半导体性单壁碳纳米管的方法。该方法筛选氧化锆单晶基底的(110)晶面，通过热处理调控氧化锆单晶基底的(110)晶面原子台阶高度，利用晶面高度较小的台...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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