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本申请公开了一种集成金刚石的包裹型GaN HEMT及其制备方法，包括衬底、GaN层、势垒层、金属电极、介质层和金刚石散热层；金属电极由第一金属区和第二金属区组成，第一金属区以外势垒层与GaN层都被刻蚀掉，为电隔离区，暴露出GaN HEMT侧...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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